記憶方法、繪圖：
1. 與SUB襯底(工藝中為N-Well / P-Well)聯(lián)接的一端均為S源極，另一端為D漏極。符號中三橫線表示三溝道，相聯(lián)的兩條對應(yīng)一端必為S源極；
2. 符號中箭頭方向代表電子e的移動方向；Ep.N溝道MOS管多數(shù)載流子為電子e，工作時電子e流向溝道內(nèi)側(cè)，箭頭向內(nèi)，PMOS相反；
3. 寄生二極管方向與箭頭(電子e)方向同向（類似并聯(lián)電路電流方向一致）；
4. D漏極、S源極接高電勢一端必定為寄生二極管指向的一端；
原理：
PMOS要形成P溝道(PNP)，所需載流子為空穴，開關(guān)速度慢——【助記】P上面"O"類似空穴；
NMOS要形成N溝道(NPN)，所需載流子為電子e，開關(guān)速度快——【助記】N轉(zhuǎn)90度類似"e"；
特性：
1. NMOS N溝道載流子為電子e，形成導(dǎo)通溝道需要 + 電荷的吸引，因此高電平導(dǎo)通、低電平關(guān)閉；
2. PMOS P溝道載流子為空穴，形成導(dǎo)通溝道需要 - 電荷吸引，因此低電平導(dǎo)通、高電平關(guān)閉；
注：該方法僅供協(xié)助記憶，實(shí)際原理并非吸引，而是電場作用下電子在各原子間的移動。
制造工藝：
如圖左側(cè)為NMOS，右側(cè)為PMOS。
1. PW（P-Well(P阱)）、NW（N-Well(N阱)），為NMOS、PMOS的襯底；
2. 為滿足半導(dǎo)體工藝制程要求，襯底聯(lián)接端與源、漏極設(shè)計在同一側(cè)（為降接觸電阻，接觸位置離子注入濃度高、各接觸點(diǎn)位置Dep金屬硅化物）。
3.通過相互聯(lián)接，可以組成最基礎(chǔ)的邏輯門電路，與門、非門、或門、與非門、或非門、異或門等，從而實(shí)現(xiàn)芯片邏輯運(yùn)算。
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